Kaks back-to-back diood PN junction junction bipolaarne transistor. Edasi diagonaal EB oksakohaaugud süstida saastav piirkonnast, CB vastupidine diagonaal junction barjääri koguja alale, elektrivälja mõjul moodustavad koguja praeguse IC. Enamik koguja diagonaal on emitteri vaheline pinge ja lisatakse vastupidine kallutatud koguja.
Kui transistori #39; s saastav praeguse võimendamise kordaja β = IC/IB = 100, koguja praeguse IC = beta * IB = 10mA. Kui vahelduva baasi, virnastamine diagonaal Circuit väike praeguse IB on koguja circuit vastava vahelduvvoolu IC, c/IB = beeta, bipolaartransistor #39; s praeguse võimendus on realiseeritud.